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退火炉是半导体设备制造中不可或缺的一环，它通过精确控制加热过程来化半导体晶片的电气性能。这一过程不仅激活了掺杂剂，还促进了薄膜与晶片衬底之间的相互作用，从而现了从薄膜到晶片的转化。此外，退火还能修复由离子注入引起的损伤，调整掺杂剂的分布，甚至促进掺杂剂在不同材料层之间的迁移。
为了现这些复杂的热处理效果，退火炉被设计为具有高度灵活性和可集成性，能够轻松融入半导体生产线的其他环节，如氧化过程。现代退火炉采用节能设计，结合纤维结构，现了高达百分之六十的能效提升。

根据热源的不同，退火炉可分为多种类型，包括电热、燃煤、燃油、天然气及燃气退火炉。其中，自备燃气发生炉产生的燃气退火炉因其广泛的应用而备受关注。这类退火窑通常省去了传统的燃烧室，直接利用气体燃烧器在加热室内进行燃烧，有效提高了加热效率。同时，为了进一步降低能耗，许多气体退火窑还配备了热交换系统，将空气预热后用于燃烧，从而减少了能源消耗。